Nombor Produk Pengeluar:
IPD10N03LA G
Product Overview
Pengeluar:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
IPD10N03LA G-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Penerangan Terperinci:
N-Channel 25 V 30A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventori:
12801105
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
8EV8
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
IPD10N03LA G Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Infineon Technologies
Pembungkusan
-
Siri
OptiMOS™
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
25 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
10.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 20µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1358 pF @ 15 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
52W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO252-3-11
Pakej / Kes
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nombor Produk Asas
IPD10N
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
2,500
Nama lain
SP000017602
IPD10N03LAGXT
IPD10N03LA G-DG
IPD10N03LAG
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMBOR BAHAGIAN
FDD8880
PENGELUAR
onsemi
JUMLAH TERSATU
13967
NOMBOR BAHAGIAN
FDD8880-DG
HARGA UNIT
0.27
JENIS SUBSTITUSI
MFR Recommended
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
IPB016N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
IRFR3103TRR
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
IPB90N06S404ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3